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F4-75R06W1E3英飛凌進(jìn)口原裝模塊

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公司名稱深圳市明烽威電子有限公司
品牌
型號(hào)F4-75R06W1
所在地深圳市
廠商性質(zhì)代理商
更新時(shí)間2020/4/7 0:38:19
訪問(wèn)次數(shù)546

產(chǎn)品標(biāo)簽:

F4-75R06W1E3 F4-75R06 F4-75R06W1 英飛凌 Infineon

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深圳市明烽威電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件分銷商，代理分銷眾多電子元器件。公司一直秉承著：“品質(zhì)為先，誠(chéng)信為本”，為企業(yè)的宗旨，遵循"誠(chéng)信、團(tuán)結(jié)、高效、創(chuàng)新"的經(jīng)營(yíng)理念；經(jīng)營(yíng)品牌有NXP、TI、ST、ON、MPS、Exar、Realtek、Atmel、Infineon、SEMIKRON、MITSUBISHI、FUJI、IXYS、EUPEC、Concept、TOSHIBA、TYCO、STARPOW等。

憑借著良好的信譽(yù)和服務(wù)，公司與國(guó)內(nèi)多家企業(yè)達(dá)成穩(wěn)定信任的合作，并為企業(yè)提供全面的電子元器件配套服務(wù)。經(jīng)過(guò)不懈的努力，目前所涉及的領(lǐng)域有：家電，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，工業(yè)控制，醫(yī)療設(shè)備，儀器儀表，安防監(jiān)控，汽車電子，開(kāi)關(guān)電源，新能源等各個(gè)領(lǐng)域。

主營(yíng)產(chǎn)品有：ESD、二三極管、接口與連接性、邏輯、放大器、微控制器、電源管理、汽車電子、照明驅(qū)動(dòng)、無(wú)線通信、分立器件、單片機(jī)等，為顧客提供*而穩(wěn)定的供貨。

深圳市明烽威電子有限公司真誠(chéng)希望與更多企業(yè)達(dá)成互利互惠的合作，共同發(fā)展，打造另一片新天地。

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Infineon，SEMIKRON，MITSUBISHI，F(xiàn)UJI，IXYS、EUPEC，Concept，TOSHIBA，TYCO，STARPOW，

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F4-75R06W1E3英飛凌

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F4-

F4-75R06W1E3英飛凌進(jìn)口原裝模塊產(chǎn)品信息

F4-75R06W1E3英飛凌

英飛凌（INFINEON)IGBT是德國(guó)英飛凌公司生產(chǎn)的一種電力半導(dǎo)體器件: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體丬管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密疒度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極**大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，**好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇

F4-75R06W1E3

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集電極—發(fā)射*電壓 VCEO: 600 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 100 A
封裝 / 箱體: EASY1B
小工作溫度: - 40 C
大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 12 mm
長(zhǎng)度: 62.8 mm
寬度: 33.8 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射*電壓: +/- 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 24
子類別: IGBTs
零件號(hào)別名: F475R06W1E3