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Monocrom模組940nm 450W

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱天津瑞利光電科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)940nm450W
  • 所  在  地天津市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2025/6/28 8:24:44
  • 訪問(wèn)次數(shù)16
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天津瑞利光電科技有限公司成立于2016年,公司專(zhuān)注于引進(jìn)國(guó)外前沿光電技術(shù)及*光電產(chǎn)品,為國(guó)內(nèi)科學(xué)研究與工業(yè)應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。目前,瑞利光電已與來(lái)自歐洲、美國(guó)、以色列、日本等地的多家光電產(chǎn)品生產(chǎn)廠家建立了密切的合作關(guān)系,產(chǎn)品包括各類(lèi)激光器、激光加工機(jī)器、光學(xué)檢測(cè)設(shè)備、光學(xué)測(cè)量與分析儀器、精密定位及光學(xué)平臺(tái)、光學(xué)元件等。我們擁有一支成熟的專(zhuān)業(yè)化團(tuán)隊(duì),相關(guān)人員知識(shí)經(jīng)驗(yàn)豐富,近年來(lái),得益于人才隊(duì)伍建設(shè)和科學(xué)管理實(shí)踐,我們的技術(shù)服務(wù)水平和業(yè)務(wù)拓展能力日益精進(jìn),與多個(gè)高校和科研機(jī)構(gòu)的合作伙伴關(guān)系不斷深化,公司規(guī)模和業(yè)務(wù)范圍持續(xù)擴(kuò)大,公司競(jìng)爭(zhēng)力顯著增強(qiáng),在太陽(yáng)能、半導(dǎo)體、生物醫(yī)療、材料加工、光通訊、國(guó)防工業(yè)、科學(xué)研究等各類(lèi)*制造與科研領(lǐng)域創(chuàng)造了大量的業(yè)績(jī),為客戶輸送了眾多高技術(shù)含量、高質(zhì)量、高精度、高可靠性、高穩(wěn)定性的產(chǎn)品,同時(shí)提供了安裝、調(diào)試、培訓(xùn)、方案研究、集成開(kāi)發(fā)等綜合技術(shù)服務(wù),因此,瑞利也得到了來(lái)自全國(guó)客戶的廣泛贊譽(yù)和認(rèn)可。光電科技領(lǐng)域的*技術(shù)和產(chǎn)品對(duì)推動(dòng)我國(guó)工業(yè)發(fā)展和提升科研實(shí)力起到了至關(guān)重要的作用。瑞利光電始終以“引進(jìn)高、精、尖技術(shù)和產(chǎn)品,助力中國(guó)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)國(guó)夢(mèng)”為使命。我們奉行信義為根,嚴(yán)謹(jǐn)為本,精益求精,行思行遠(yuǎn)的經(jīng)營(yíng)宗旨,力求通過(guò)自身的創(chuàng)新發(fā)展為客戶持續(xù)創(chuàng)造價(jià)值,為產(chǎn)業(yè)升級(jí),科技強(qiáng)國(guó)貢獻(xiàn)力量。
產(chǎn)品介紹Monocrom的A-stack-940-nm是一種激光二極管,波長(zhǎng)為930至940nm,輸出功率為60至400W,輸出功率60至400W,工作電流60至370A,工作電流為60至370A
Monocrom模組940nm 450W 產(chǎn)品信息
產(chǎn)品介紹

Monocrom的A-stack-940-nm是一種激光二極管,波長(zhǎng)為930至940 nm,輸出功率為60至400 W,輸出功率60至400 W,工作電流60至370 A,工作電流為60至370 A。Monocrom的夾緊技術(shù)與我們的二極管激光支架中毫米尺寸冷卻通道的使用相結(jié)合,使激光頭非常堅(jiān)固可靠,適合工業(yè)環(huán)境,維護(hù)要求低。

性能特點(diǎn)
  • 940nm紅外激光二極管和紅外激光模塊具有單模和多模光束輪廓。
  • 它們具有自由空間或光纖耦合輸出。
  • 二極管激光封裝非常適合OEM應(yīng)用,激光模塊可用于OEM或即插即用應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:西班牙

配置:多發(fā)射器

波長(zhǎng):930至940納米

冷卻方法:水冷式

光譜寬度(FWHM):3納米

工作電流:60至370 A

填充系數(shù):20%至80%

平行光束發(fā)散:4到7度

光束發(fā)散垂直:23至30度

發(fā)射尺寸/發(fā)射器芯片:100至220µm

邊坡效率:1.1至1.15 W/A

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