Vishay Intertechnology新推出了 27 款標(biāo)準(zhǔn)型和溝槽 MOS 勢(shì)壘肖特基 (TMBS) 表面貼裝整流器，采用帶可濕性側(cè)面的 DFN33A 扁平封裝。這些標(biāo)準(zhǔn)器件是采用這種封裝尺寸的器件，可提供高達(dá) 6 A 的額定電流，而 TMBS 器件則可提供高達(dá) 9 A 的額定電流，為商業(yè)、工業(yè)、電信和汽車應(yīng)用提供了節(jié)省空間的有效解決方案。TMBS 器件提供從 60 V 到 200 V 的多種電壓選擇，標(biāo)準(zhǔn)整流器的電壓則高達(dá) 600 V，這些器件均具有汽車級(jí) AEC-Q101 認(rèn)證。作為 Vishay 功率 DFN 系列的新封裝，DFN33A 采用 3.3 x 3.3 mm 的緊湊型基底面和 0.88 mm 的超低典型高度，使發(fā)布的 Vishay General Semiconductor 整流器能夠更有效地利用 PCB 空間。與傳統(tǒng)的 SMB（DO-214AA）和 eSMP 系列 SMPA（DO-220AA）相比，封裝尺寸分別縮小了 44 % 和 20 %。此外，該器件的扁平外形比 SMB (DO-214AA) 和 SMC 薄 2.6 倍，比 SMPA (DO-220AA) 薄 7%。同時(shí)，整流器優(yōu)化的銅質(zhì)設(shè)計(jì)和的芯片貼裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高熱性能，可在更高額定電流下工作。這些器件適用于低壓、高頻逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、續(xù)流二極管，以及基帶天線熱插拔電路中的極性和軌至軌保護(hù)，以及交換機(jī)、路由器和光網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的以太網(wǎng)供電 (PoE)。對(duì)于這些應(yīng)用，整流器可在高達(dá) +175 ℃ 的高溫下工作，同時(shí)其超低的正向壓降和低漏電流提高了設(shè)計(jì)效率。其 DFN33A 封裝的可潤(rùn)濕側(cè)面可進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI)，無(wú)需 X 射線檢測(cè)。根據(jù) J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn)，該整流器的 MSL 濕度靈敏度為 1，LF 峰值為 260 ℃，是自動(dòng)貼裝的適配之選。這些器件符合 RoHS 規(guī)范，不含鹵素，其啞光鍍錫引線符合 JESD 201 2 級(jí)晶須測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

扁平封裝--典型高度為 0.88 毫米

無(wú)引線 DFN 封裝，側(cè)面可潤(rùn)濕

適合客戶 AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）

自動(dòng)更換的適配選擇

1 Vishay 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)產(chǎn)品

2 氧化物平面芯片技術(shù)

3 額定電流 (40 = 4 A)

4 封裝類型 (N3 = DFN33A 封裝)

5 額定電壓 (D = 200 V、G = 400 V、J = 600 V)

6 質(zhì)量等級(jí) (H = AEC-Q101 合格品，否則 = 工業(yè)級(jí))

7 材料/環(huán)境類別 (M3 = 無(wú)鹵素、符合 RoHS 規(guī)范、端接無(wú)鉛 (Pb))

產(chǎn)地：美國(guó)

I_F = 4 A 時(shí)的 V_F（T_J = 125℃）：0.84 V

Max T_J：175 ℃

封裝：DFN33A

電路配置：?jiǎn)温?/p>

扁平封裝典型高度：0.88 mm

封裝：無(wú)引線 DFN

典型 IR：＜ 0.1 μA

符合 J-STD-020 的 MSL 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，LF Max峰值：260 ℃

設(shè)備標(biāo)記代碼：4D

Max重復(fù)峰值反向電壓 V_RRM：200 V

Max平均正向整流電流I_F(AV)：4 A；I_F(AV)：1.68 A

10 ms 單個(gè)半正弦波疊加在額定負(fù)載上的峰值正向浪涌電流 I_FSM：70 A

工作結(jié)溫范圍 T_J：-55 至 +175 ℃

儲(chǔ)存溫度范圍 T_STG：-55 至 +175 ℃

通過(guò)認(rèn)證：AEC-Q101

消費(fèi)、工業(yè)、汽車應(yīng)用中的通用、電源線極性保護(hù)、軌至軌保護(hù)