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半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

2024-07-17 11:27:30中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所閱讀量:17557 我要評(píng)論


  波長連續(xù)調(diào)諧(掃頻)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在光學(xué)相干層析成像(OCT)、調(diào)頻連續(xù)波(FMCW)激光雷達(dá)、智能制造等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,對可調(diào)諧VCSEL進(jìn)行功率監(jiān)測至關(guān)重要。此外,VCSEL具有單縱模、低功耗、易于二維陣列集成等優(yōu)點(diǎn),是垂直集成光子系統(tǒng)的理想光源。在未來用于人工智能和傳感等領(lǐng)域的三維垂直集成光子系統(tǒng)中,具有寬帶波長調(diào)諧和集成功率監(jiān)測功能的VCSEL是關(guān)鍵器件。
 
  可調(diào)諧微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)VCSEL是理想的寬帶波長調(diào)諧激光光源,通過靜電吸引或者電熱效應(yīng)移動(dòng)MEMS可調(diào)諧反射鏡,改變腔長實(shí)現(xiàn)波長調(diào)諧。實(shí)現(xiàn)集成功率監(jiān)測功能對于可調(diào)諧MEMS-VCSEL極具挑戰(zhàn)。通常在VCSEL的n型分布布拉格反射鏡(DBR)一側(cè)集成光電探測器(PD)監(jiān)測輸出功率,但是會(huì)降低可調(diào)諧MEMS-VCSEL的波長調(diào)諧性能,增加器件制作的難度。而在可調(diào)諧MEMS-VCSEL的有源區(qū)p側(cè)引入PD結(jié)構(gòu),也會(huì)降低器件的輸出功率和波長調(diào)諧性能。
 
  最近中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)劉安金研究組在集成功率監(jiān)測功能的可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展。劉安金研究組在2022年采用一種新器件結(jié)構(gòu)和新制作工藝實(shí)現(xiàn)單模MEMS-VCSEL(Photonics Research 10,1170,2022,期刊封面論文)的基礎(chǔ)上,近期報(bào)道了一種集成PD的可調(diào)諧MEMS-VCSEL,器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。在該器件中MEMS可調(diào)諧亞波長光柵(HCG)反射鏡和DBR構(gòu)成垂直腔,MEMS可調(diào)諧反射鏡在反偏壓作用下改變垂直腔腔長,調(diào)諧激射波長;同時(shí),有源區(qū)上側(cè)n-i-p型MEMS結(jié)構(gòu)(即PD結(jié)構(gòu))的i型犧牲層吸收腔內(nèi)散射光,實(shí)現(xiàn)對輸出光功率的監(jiān)測,但不降低MEMS-VCSEL的波長調(diào)諧性能。
 
  測試結(jié)果顯示,該可調(diào)諧MEMS-VCSEL在室溫下實(shí)現(xiàn)了27nm的波長調(diào)諧范圍,如圖2所示,與設(shè)計(jì)結(jié)果吻合。盡管集成PD的材料帶隙能量大于激光光子能量,但是基于光輔助Shockley-Read-Hall機(jī)制,集成PD可以在不降低器件的波長調(diào)諧性能和輸出光功率的情況下,實(shí)現(xiàn)對器件輸出光功率的監(jiān)測,如圖3所示。器件還可作為諧振腔增強(qiáng)光電探測器,并在926nm波長處獲得最大響應(yīng)度。
 
  該工作為實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧MEMS-VCSEL集成功率監(jiān)測功能提供了一種新思路。
 
  相關(guān)研究結(jié)果以Detector-integrated vertical-cavity surface-emitting laser with a movable high-contrast grating mirror為題,發(fā)表在《光子學(xué)研究》(Photonics Research)期刊上(Photonics Research 12, 1437, 2024. DOI:10.1364/PRJ.519679),半導(dǎo)體所博士生王鳴祿為論文第一作者,劉安金研究員為論文通訊作者。該工作得到了鄭婉華院士的悉心指導(dǎo),還得到了國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目的資助。
 
圖1 (a)集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL的SEM圖;(b)器件外延結(jié)構(gòu)及摻雜示意圖
 
圖2 (a)在1.0mA連續(xù)電注入條件下,集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL在不同調(diào)諧電壓下的光譜圖;(b)不同調(diào)諧電壓下的基模波長
 
圖3 (a)集成PD可調(diào)諧MEMS-VCSEL的光功率-電流-集成PD光電流曲線;(b)集成PD光電流-光功率曲線
 
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