FF200R12KS4

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英飛凌模塊

INFINEON

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: N
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射*電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封裝 / 箱體: 62 mm
小工作溫度: - 40 C
大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長(zhǎng)度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射*電壓: 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 10
子類別: IGBTs

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: N
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射*電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封裝 / 箱體: 62 mm
小工作溫度: - 40 C
大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長(zhǎng)度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
安裝風(fēng)格: Chassis Mount
柵極/發(fā)射*電壓: 20 V
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 10
子類別: IGBTs