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西門(mén)康IGBT模塊SKM400GA063D

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上海萱鴻電子提供2MBI300N-060富士IGBT模塊,晶閘管等,上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,

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 上海萱鴻電子提供2MBI300N-060富士IGBT模塊,晶閘管等,上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,。
SKM200GAL12T4.jpgSKM400GAR128D.jpg

IGBT是個(gè)功率器件,它的開(kāi)關(guān)頻率上限并不是一個(gè)確定的值。我一般都是這么回答這個(gè)問(wèn)題的:首先,開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開(kāi)通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,還有二極管反向恢fu也有損耗Erec。

  IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高,開(kāi)關(guān)次數(shù)就越多,損耗功率就也高,那乘以散熱器的熱阻后,IGBT的溫升也越高,如果溫度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。具體你們可以看我之前發(fā)的關(guān)于IGBT熱設(shè)計(jì)的文章。

  但是損耗是和電壓電流成正比的。

  所以假如用一個(gè)很大標(biāo)稱電流的IGBT工作在一個(gè)小的電流下,那這個(gè)大IGBT的開(kāi)關(guān)損耗功率和導(dǎo)通損耗功率就都會(huì)減小,那么這個(gè)大IGBT就更有可能用在更高的開(kāi)關(guān)頻率。

  很多新手有個(gè)誤區(qū),他們?cè)捠沁@么說(shuō)的,“小管子發(fā)熱小,大管子發(fā)熱大,你看那大IGBT模塊發(fā)熱功率都上千瓦,那分離IGBT芯片才幾瓦。"

  其實(shí)他剛好說(shuō)反了,在同一個(gè)電壓等級(jí)下同樣技術(shù)的芯片,標(biāo)稱電流越大的說(shuō)明導(dǎo)通電阻越小,因此才能通更大的電流啊。

  總而言之,IGBT的開(kāi)關(guān)頻率到多少,取決于在此工況下IGBT的結(jié)溫會(huì)不會(huì)超上限。只要你有錢(qián),巴菲特都能陪你吃飯,所以只要不惜成本3300V也能工作在50kHz硬開(kāi)關(guān)。。。你不信?有圖有真相。

  所以說(shuō)別再問(wèn)我IGBT的開(kāi)關(guān)頻率了,只要你有錢(qián),隨便超頻。

  雖然有錢(qián)可以為所欲為,但是違反物理極限的事情還是有錢(qián)也做不到的。那什么是物理極限呢?那就是IGBT的開(kāi)關(guān)速度。

  剛才說(shuō)了開(kāi)關(guān)頻率是IGBT在一秒內(nèi)開(kāi)關(guān)的次數(shù),而且IGBT每個(gè)開(kāi)關(guān)周期里還有占空比,比如說(shuō)1kHz開(kāi)關(guān)頻率,50%占空比,那控制型號(hào)發(fā)出的方波從開(kāi)通到關(guān)斷的時(shí)間就是0.5毫秒。如下圖。

  但是你以為你發(fā)了0.5毫秒的方波,IGBT就能同步開(kāi)0.5毫秒?不能,IGBT很遲緩,一般同等技術(shù)水平下的IGBT芯片,標(biāo)稱電壓越高的IGBT越遲緩。

  這個(gè)遲緩時(shí)間就是開(kāi)關(guān)延遲。

  一般都是關(guān)斷延遲比開(kāi)通延遲長(zhǎng),所以一個(gè)半橋上下橋臂的IGBT在開(kāi)關(guān)狀態(tài)切換時(shí),需要一個(gè)死區(qū)時(shí)間,就是上下兩個(gè)IGBT同時(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)。否則就會(huì)出現(xiàn)上下橋臂直通短路的情況。

  死區(qū)時(shí)間主要取決于關(guān)斷延遲比開(kāi)通延遲長(zhǎng)了多少(當(dāng)然還要有冗余)。

  一般常見(jiàn)的3300V IGBT的死區(qū)時(shí)間都在10us以上。

  以上文中的例子,50kHz對(duì)應(yīng)一個(gè)周期是20us,假設(shè)是半橋DCDC,占空比50%,那開(kāi)通時(shí)間只有10us,再減去10us死區(qū)時(shí)間,這個(gè)IGBT就不用開(kāi)通了,只能永遠(yuǎn)保持關(guān)斷狀態(tài)。

  因此這就是IGBT的物理極限,關(guān)斷延遲和死區(qū)時(shí)間導(dǎo)致的頻率極限。但是這個(gè)極限比實(shí)際應(yīng)用的開(kāi)關(guān)頻率高出很多,因此平時(shí)并沒(méi)有意義去討論這個(gè)問(wèn)題,除非你真的要用3300V的IGBT工作在50kHz。(在大部分實(shí)際應(yīng)用中3300V的IGBT開(kāi)關(guān)頻率都是1kHz左右,超過(guò)2kHz就非常少見(jiàn)了。)

  我們?cè)谂e一個(gè)實(shí)際中會(huì)碰到的有參考價(jià)值的例子。

  例如高速電機(jī)的應(yīng)用,假設(shè)電機(jī)額定轉(zhuǎn)速在10萬(wàn)轉(zhuǎn)以上,一對(duì)極,折算成電機(jī)驅(qū)動(dòng)頻率約為2000Hz,逆變器直流母線電壓600V,額定扭矩對(duì)應(yīng)的線電流有效值約為30A,水冷散熱器。

  在高速電機(jī)應(yīng)用中,大部分是無(wú)刷直流的控制方法,但有寫(xiě)特殊場(chǎng)合為了保證控制和扭矩穩(wěn)定性,需要采用SVPWM的控制方法,這時(shí)就需要逆變器有很高的開(kāi)關(guān)頻率了,而且開(kāi)關(guān)頻率越高,紋波越小,電機(jī)的扭矩就約平穩(wěn),我們假設(shè)開(kāi)關(guān)頻率要不低于30kHz。

  現(xiàn)在我們開(kāi)始選型,根據(jù)逆變器的體積和成本考慮,我們先初選FS75R12KT4和FS100R12KT4,標(biāo)稱電流分別為75A和100A的兩款三相全橋IGBT模塊。

  這個(gè)封裝的IGBT模塊,水冷散熱器的典型熱阻為0.072K/W,進(jìn)口水溫60°C。在散熱條件確定后,我們就可以開(kāi)始仿真計(jì)算了。

  我們把結(jié)溫上限設(shè)為145度,留5度的安全余量。

  可以得到一個(gè)結(jié)溫在145度下,輸出電流和開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系。

  黑色是100A的模塊,紅色是75A模塊,在30~40kHz的頻率區(qū)間,100A的模塊能比75A的模塊多輸出約10A的電流有效值。在30A輸出電流下,100A模塊的開(kāi)關(guān)頻率可以比75A模塊高15kHz以上。當(dāng)然你可以選個(gè)更大的FS150R12KT4,工作到100kHz,不過(guò)這時(shí)候你就要考慮下1200V一般3us的死區(qū)時(shí)間可能會(huì)吃掉一半的PWM波,所以這時(shí)候頻率又被開(kāi)關(guān)速度給限制了。

  所以回到我們的主題,IGBT的頻率可以有多高?雖然極限取決于死區(qū)時(shí)間,但是實(shí)際中主要還是取決于散熱和電流,不提散熱和電流張開(kāi)就問(wèn)開(kāi)關(guān)頻率,這是許多小白司機(jī)常犯的錯(cuò)誤。


西門(mén)康IGBT模塊 部分型號(hào):

SKM75GAL063D

SKM100GAL063D

SKM145GAL063D

SKM150GAL063D

SKM200GAL063D

SKM300GAL063D

SKM400GAL063D

SKM600GAL066D

SKM200GAL066D

SKM300GAL066D

SKM400GAL066D

SKM50GAL12T4

SKM50GAL123D

SKM50GAL124D

SKM50GAL128D

SKM75GAL12T4

SKM75GAL123D

SKM75GAL124D

SKM75GAL128D

SKM75GAL125D

SKM75GAL12V

SKM75GAL173D

SKM75GAL176D

SKM100GAL12T4

SKM100GAL123D

SKM100GAL124D

SKM100GAL128D

SKM100GAL12V

SKM100GAL125D

SKM100GAL173D

SKM100GAL176D

SKM100GAL128DN

SKM100GAL124DN

SKM100GAL126DN

SKM145GAL123D

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SKM145GAL128D

SKM145GAL126D

SKM145GAL125D

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SKM145GAL126DN

SKM195GAL123D

SKM195GAL124D

SKM195GAL125D

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SKM150GAL124D

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SKM200GAL128D

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SKM200GAL12V

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SKM300GAL123D

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SKM300GAL12T4

SKM300GAL12E4

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SKM300GAL174D

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SKM400GAL176D

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SKM400GAL125D

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SKM400GAL12T4

SKM400GAL12E4

SKM300GAL125D

SKM600GAL126D

SKM600GAL176D

SKM600GAL12T4

SKM800GAL126D

SKM800GAL176D


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