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PN8368_8W充電器IC方案 PN8368

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PN8368產(chǎn)品描述： PN8368集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源

詳細(xì)介紹

PN8368產(chǎn)品描述：
PN8368集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）

小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。

PN8368產(chǎn)品特點(diǎn)：
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，小于30mW空載損耗（230VAC）

采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)

全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度

原邊反饋可省光耦和TL431

恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)

無需額外補(bǔ)償電容

無音頻噪聲

智能保護(hù)功能

過溫保護(hù) (OTP)

VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)