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JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm節(jié)點(diǎn)的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進(jìn)重復(fù)式的光刻系統(tǒng)?
JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm節(jié)點(diǎn)的掩模版/中間掩模版（mask/reticle）的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。
的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進(jìn)重復(fù)式的光刻系統(tǒng)
利用步進(jìn)重復(fù)式曝光的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合曝光劑量調(diào)整功能及重疊曝光等功能，能支持下一代掩模版/中間掩模版（mask/reticle）圖形制作所需要的多種補(bǔ)償。
| 拼接精度 | ≦±3.5 nm |
| 套刻精度 | ≦±5 nm |
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