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全自動多功能掃描聚焦 X 射線光電子能譜XPS

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產(chǎn)品型號PHI GENESIS

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更新時間：2025-05-20 09:44:08瀏覽次數(shù)：95次

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深圳市順心科技有限公司

經(jīng)營模式：其他

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產(chǎn)品簡介

ULVAC-PHI公司推出的PHI GENESIS是一款自動多功能掃描x射線光電子光譜儀（XPS：x射線光電子光譜或ESCA：化學分析電子光譜）。為用戶提供了一種全新的體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。

詳細介紹

產(chǎn)品特點

1.易操作式多功能選配附件

簡單易操作：PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù)，同時保留諸如進樣照片導航和 SXI 二次電子影像精準定位等功能。
簡單友好的用戶界面：PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對于操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動化分析。

多功能選配附件：原位的多功能自動化分析，涵蓋了從 LEIPS 測試導帶到 HAXPES 芯能級激發(fā) 的全范圍技術，相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言， PHI GENESIS 體現(xiàn)了的性能價值。
全面的優(yōu)良解決方案 ：高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

2.全自動樣品傳送停放

3.高性能大面積和微區(qū) XPS 分析

多數(shù)量樣品大面積分析

- 多數(shù)量樣品大面積分析 - 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內(nèi)
- 可同時使用三個樣品托
- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品
- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品

無二的可聚焦≤ 5μm 的微區(qū) X 射線束斑：在 PHI GENESIS中，聚焦掃描 X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進行導航、精準零誤差定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像（SXI）：二次電子影像（SXI）精準定位，保證了所見即所得。的 5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS 分析應用提供了新的機遇。

4.快速精準深度剖析

PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內(nèi)進行多點同時分析。

高性能的深度剖析能力：( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。 ( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨 XPS 分析：PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了對樣品角分辨分析的性能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉(zhuǎn)相結(jié)合，可同時實現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。

無需濺射刻蝕的深度探索：下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點（QDs），結(jié)合使用 XPS（Al Kα X 射線）和 HAXPES（Cr Kα X 射線）對同一微觀特征區(qū)域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結(jié)構分析。 XPS 和 HAXPES 的結(jié)合使用，可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。
深層界面的分析：在兩種 x 射線源中，只有 Cr Ka XPS 能探測到 Y2O 3 下方距離表面 14nm 處的 Cr 層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態(tài)。另外，通過比較，光電子起飛角 90°和 30°的 Cr Kα 譜圖結(jié)果發(fā)現(xiàn)在較淺 ( 表面靈敏度更高 ) 的起飛角時，氧化物的強度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y2O 3 和 Cr 層之間的界面。
內(nèi)核電子的探測：Cr Kα 提供了額外的 Al Kα 不能獲取的內(nèi)核電子。基于 Cr Kα 的高能光電子，通常有多個額外的躍遷可用于分析。

5.為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供全面解決方案

應用領域

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領域。用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領域的功能材料都是復雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學結(jié) 構到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS" 全自動多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用：

電池：“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學成像" Li 基材料例如 LiPON，對電子束輻照敏感。 PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學成像。

有機器件：使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測量能帶結(jié)構（1）C 60 薄膜表面（2）C 60 薄膜表面清潔后（3）C 60 薄膜 /Au 界面（4）Au 表面通過 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結(jié)構。

半導體：半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學態(tài)進行無損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

微電子：微小焊錫點分析 HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài) Sn 的含量高于 XPS 分析數(shù)據(jù)，這是由于 Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態(tài) Sn 的含量越高，正好符合 HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點。

產(chǎn)品配置

多功能選配附件

UPS 紫外光電子能譜、LEIPS低能反光電子能譜、AES/SAM 俄歇電子能譜、REELS 反射式能量損失譜、雙陽極 X 射線源（Mg/Zr、Mg/Al）、Ar-GCIB 氬團簇離子源、Ar-GCIB 簇大小測量工具、C60 源子離簇團（ VK02 樣、）品加熱冷卻模塊、4 電觸點加熱冷卻模塊、樣品保護傳送模塊、SPS 樣品定位系統(tǒng)等等。

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