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北京埃光科技有限公司
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為進(jìn)一步提升在軟X射線領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢,鑫圖在代Dhyana 95/400BSI應(yīng)用基礎(chǔ)上進(jìn)行了卓有成效的技術(shù)改進(jìn),基于定制的無抗反射鍍膜芯片進(jìn)行再開發(fā),如圖所示:鑫圖專業(yè)sCMOS軟X射線相機(jī)采用的新一代無抗反射鍍膜芯片,在1.24-12.4nm區(qū)間內(nèi)量子效率得到了大幅提升,整體超過了90%,部分波段近乎達(dá)到了99%的超高水平,在對應(yīng)的80–1000 eV光子能量范圍內(nèi),具備更專業(yè)的成像性能。
為進(jìn)一步提升在軟X射線領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢,鑫圖在代Dhyana 95/400BSI應(yīng)用基礎(chǔ)上進(jìn)行了卓有成效的技術(shù)改進(jìn),基于定制的無抗反射鍍膜芯片進(jìn)行再開發(fā),如圖所示:鑫圖專業(yè)sCMOS軟X射線相機(jī)采用的新一代無抗反射鍍膜芯片,在1.24-12.4nm區(qū)間內(nèi)量子效率得到了大幅提升,整體超過了90%,部分波段近乎達(dá)到了99%的超高水平,在對應(yīng)的80–1000 eV光子能量范圍內(nèi),具備更專業(yè)的成像性能。
為進(jìn)一步提升在軟X射線領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢,鑫圖在代Dhyana 95/400BSI應(yīng)用基礎(chǔ)上進(jìn)行了卓有成效的技術(shù)改進(jìn),基于定制的無抗反射鍍膜芯片進(jìn)行再開發(fā),如圖所示:鑫圖專業(yè)sCMOS軟X射線相機(jī)采用的新一代無抗反射鍍膜芯片,在1.24-12.4nm區(qū)間內(nèi)量子效率得到了大幅提升,整體超過了90%,部分波段近乎達(dá)到了99%的超高水平,在對應(yīng)的80–1000 eV光子能量范圍內(nèi),具備更專業(yè)的成像性能。

總體特性:
1、無抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片
2、近99% @80–1000 eV超高量子效率
3、高動(dòng)態(tài),高幀頻,低噪聲
4、法蘭可定制,靈活適配真空系統(tǒng)

CF63, CF100, CF150 ……
主要技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品型號(hào) | Dhyana XF95 | Dhyana XF400BSI |
芯片類型 | 無抗反射鍍膜背照式sCMOS | 無抗反射鍍膜背照式sCMOS |
量子效率 | 近99% | 近99% |
彩色/黑白 | 黑白 | 黑白 |
芯片尺寸 | 2英寸 | 1.2英寸 |
像元尺寸 | 11μm×11μm | 6.5μm×6.5μm |
分辨率 | 2048×2048 | 2048×2040 |
感光面積 | 22.5mm×22.5mm | 13.3mm×13.3mm |
滿阱容量 | 90ke- | 55ke- |
幀率 | Normal模式:24fps;STD模式:48fps | 35fps |
讀出噪聲 | 高增益:1.6e-(Median) | CMS:1.2e-(Median) |
曝光時(shí)間 | 21μs~10s | 14μs~10s |
快門模式 | 卷簾 | 卷簾 |
線性度 | > 99% | > 99% |
位深 | 16bit | 16bit |
制冷模式 | TEC風(fēng)冷 | TEC風(fēng)冷 |
制冷溫度 | 低至零下10℃(環(huán)境25℃) | 低至零下10℃(環(huán)境25℃) |
暗電流 | 1.5e-/p/s @ -10℃ | 1.2e-/p/s @ -10℃ |
觸發(fā)模式 | 硬件&軟件 | 硬件&軟件 |
外部觸發(fā)接口 | SMA | SMA |
數(shù)據(jù)接口 | USB3.0 | USB3.0 |
法蘭尺寸 | DN100CF / 接受客戶定制 | DN100CF / 接受客戶定制 |
電源 | 12V / 8A | 12V / 8A |
功耗 | 60W | 60W |
PC軟件 | Mosaic / Samplepro / LabView / Micromanager | Mosaic / Samplepro / LabView / Micromanager |
兼容系統(tǒng) | Windows / Linux | Windows / Linux |
Dhyana XF系列軟X射線sCMOS制冷相機(jī)
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